Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
описание:Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Row Precharge Delay (tRP):-
Дополнительная информация:-
manufacturerCountry:Филиппины
Модель:M425R1GB4BB0-CWM
Объем одного модуля (ГБ):8
Напряжение (В):1.1
название:Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM
RAS to CAS Delay (tRCD):-
gtdNumber:10005030/301123/5031268/002
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
5a1e7dc4f956ddb401ee42b95d7abcbb
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
manufacturerCountry
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)
gtdNumber
Тайминги
Тип оборудования
Поддержка Reg
Чип
Частота (MHz)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)
Линейка
сайт производителя
Потребление энергии
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Вес (грамм)
Поддержка ECC
гарантия
Высота (мм)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Радиатор
Низкопрофильная
Производитель
Количество контактов
Подсветка