Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
сайт производителя:http://www.samsung.com/
Потребление энергии:-
Линейка:-
Пропускная способность (МБ/с):44800
Производитель:Samsung
Вес (грамм):-
Количество модулей в комплекте (шт):1
Поддержка ECC:Нет
гарантия:3 года
Высота (мм):-
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
b3fc52c2262274941f9f84c1cf45d9a8
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
сайт производителя
Потребление энергии
Линейка
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Вес (грамм)
Количество модулей в комплекте (шт)
Поддержка ECC
гарантия
Высота (мм)
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Радиатор
Низкопрофильная
Производитель
Количество контактов
Подсветка
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
manufacturerCountry
Модель
Объем одного модуля (ГБ)
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)
gtdNumber
Тайминги
Тип оборудования
Поддержка Reg
Чип
Частота (MHz)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Нормальная операционная температура (Tcase)
Количество чипов на модуле
Габариты (мм)
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)