Samsung DDR5 SODIMM 8GB  DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Samsung DDR5 SODIMM 8GB DIMM UNB 5600 1Rx16, 1.1V M425R1GB4BB0-CWM

Артикул:M425R1GB4BB0-CWM
Код товара:629225500
К сравнению
Тип оборудования:Оперативная память
gtdNumber:10005030/301123/5031268/002
Тайминги:-
Частота (MHz):DDR5 - 5600
Поддержка Reg:Нет
Чип:-
Нормальная операционная температура (Tcase):-
Общий объем памяти (ГБ):8
Activate to Precharge Delay (tRAS):-
Габариты (мм):-
Под заказ (запрашивайте)
3 000 0
Товара не оказалось в наличии?
Подпишитесь на уведомление о поступлении!
1406e3adc2ca2d68f0d8a590087f69ef
Описание
Оперативная память M425R1GB4BB0-CWM от Samsung
Тип оборудования
gtdNumber
Тайминги
Частота (MHz)
Поддержка Reg
Чип
Нормальная операционная температура (Tcase)
Общий объем памяти (ГБ)
Activate to Precharge Delay (tRAS)
Габариты (мм)
Количество чипов на модуле
rusName
Расширенная операционная температура (Tcase)
Линейка
сайт производителя
Потребление энергии
Количество модулей в комплекте (шт)
Пропускная способность (МБ/с)
Производитель
Вес (грамм)
Высота (мм)
Поддержка ECC
гарантия
Тип модуля
Поддержка водяного охлаждения
CAS Latency (CL)
Радиатор
Низкопрофильная
Производитель
Количество контактов
Подсветка
описание
Row Precharge Delay (tRP)
Дополнительная информация
Объем одного модуля (ГБ)
manufacturerCountry
Модель
Напряжение (В)
название
RAS to CAS Delay (tRCD)